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首页 全部分类 NVMFS5C646NLT3G vs BSC034N06NSATMA1

NVMFS5C646NLT3G备选型号: BSC034N06NSATMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C646NLT3G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    20A Ta 93A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    not_compliant
    Single
    N-Channel
    4.7m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    2164pF @ 25V
    33.7nC @ 10V
    60V
    ±20V
    93A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC034N06NSATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
    -
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    not_compliant
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    3.4m Ω @ 50A, 10V
    3.3V @ 41μA
    3000pF @ 30V
    41nC @ 10V
    -
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    含铅
    SILICON
    OptiMOS™
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    5ns
    20V
    60V
    0.0034Ohm
    400A
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