STMicroelectronics STL20N6F7
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STL20N6F7
2381-STL20N6F7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 60V 100A
--最小包装量--
STL20N6F7详情
STMicroelectronics STL20N6F7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3W Ta 78W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
STripFET™ F7
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STL20
JESD-30代码
S-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.4m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1600pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
100A
漏极-源极导通最大电阻
0.0054Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
DS 击穿电压-最小值
60V
STL20N6F7拓展信息
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