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首页 全部分类 NVMFS5C670NLT3G vs DMN6040SFDE-7

NVMFS5C670NLT3G备选型号: DMN6040SFDE-7

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  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NVMFS5C670NLT3G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C670NLT3G MOSFET Transistor, N Channel, 71 A, 60 V, 0.0051 ohm, 10 V, 2 V
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    39 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    17A Ta 71A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    not_compliant
    AEC-Q101
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    6.1m Ω @ 35A, 10V
    2V @ 250μA
    1400pF @ 25V
    20nC @ 10V
    60V
    ±20V
    71A
    2V
    440A
    60V
    166 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN6040SFDE-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    5.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    无铅
    -
    -
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    38m Ω @ 4.3A, 10V
    3V @ 250μA
    1287pF @ 25V
    22.4nC @ 10V
    -
    ±20V
    5.3A
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    260
    40
    1
    2.03W
    6.6 ns
    SWITCHING
    8.1ns
    4 ns
    20V
    0.038Ohm
    60V
    580μm
    2.05mm
    2.05mm
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