NVMFS6B03NLT1G备选型号: IRFS4010TRL7PP
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN32 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN83V @ 250μA4.5V 10VAutomotive, AEC-Q1012016-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)e3yesACTIVE (Last Updated: 1 week ago)1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)N-Channel4m Ω @ 20A, 10V5320pF @ 25V9.4nC @ 10V100V±16Vnot_compliantNon-RoHS Compliant无铅-----------
- MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-712 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB74V @ 250μA190A TcHEXFET®2008-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)e3-活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierN-Channel4m Ω @ 110A, 10V9830pF @ 50V230nC @ 10V-±20V无SVHCROHS3 Compliant无铅Single增强型MOSFET380W19 ns56ns48 ns190A20V100V4 V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFS4010TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | 对比 |
![]() | STH150N10F7-2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |




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