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首页 全部分类 NVMS10P02R2G vs IRF9910PBF

NVMS10P02R2G备选型号: IRF9910PBF

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  • 漏源击穿电压
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  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVMS10P02R2G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    10A Ta
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    P-Channel
    20V
    10A
    符合RoHS标准
    无铅
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  • Infineon Technologies
    IRF9910PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    10A 12A
    Tube
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2 N-Channel (Dual)
    -
    12A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    2004
    8
    EAR99
    20V
    2W
    鸥翼
    10A
    IRF9910PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    SWITCHING
    13.4m Ω @ 10A, 10V
    2.55V @ 250μA
    900pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    14ns
    7.5 ns
    2.55V
    20V
    0.0093Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.55 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
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