NVMS5P02R2G备选型号: NVMD6P02R2G
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- Trans MOSFET P-CH 20V 7.05A T/RACTIVE (Last Updated: 1 week ago)13 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YES83.95A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)EAR9933mOhmTin (Sn)380mW8SingleP-Channel33m Ω @ 5.4A, 4.5V1.25V @ 250μA1900pF @ 16V35nC @ 4.5V20V3.95A7.05AROHS3 Compliant无铅--
- Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A T/R-25 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YES8150°C-Tape & Reel (TR)-e3-活跃1 (Unlimited)EAR99-Tin (Sn)750mW-Dual2 P-Channel (Dual)33m Ω @ 6.2A, 4.5V1.2V @ 250μA1700pF @ 16V35nC @ 4.5V20V4.8A-ROHS3 Compliant-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMD6P02R2G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A T/R | 对比 | |
| NTMS5P02R2SG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC | 对比 |


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