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首页 全部分类 NVR4501NT1G vs MGSF2N02ELT1G

NVR4501NT1G备选型号: MGSF2N02ELT1G

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  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 上升时间
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 长度
  • 高度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NVR4501NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    YES
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    1
    2008
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    3
    Single
    增强型MOSFET
    1.25W
    6.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 3.6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    无卤素
    200pF @ 10V
    6nC @ 4.5V
    ±12V
    3 ns
    3.2A
    12V
    0.08Ohm
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MGSF2N02ELT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
    ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    YES
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    1
    2001
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    3
    Single
    增强型MOSFET
    1.25W
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 3.6A, 4.5V
    1V @ 250μA
    -
    150pF @ 5V
    3.5nC @ 4V
    ±8V
    95 ns
    2.8A
    8V
    -
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    85MOhm
    20V
    2.8A
    95ns
    1V
    5A
    500 mV
    3.04mm
    1.01mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
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