ON Semiconductor NVR4501NT1G

工厂交货时间

7 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

12 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.2V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A Ta

Power Dissipation (Max)

1.25W Tj

已出版

2008

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

6.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 3.6A, 4.5V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

3.2A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.08Ohm

漏源击穿电压

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅