ON Semiconductor NVR4501NT1G
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NVR4501NT1G
1807-NVR4501NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
--最小包装量--
NVR4501NT1G详情
ON Semiconductor NVR4501NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
7 Weeks
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Ta
Turn Off Delay Time
12 ns
Power Dissipation (Max)
1.25W Tj
已出版
2008
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.25W
接通延迟时间
6.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 3.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
3 ns
连续放电电流(ID)
3.2A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.08Ohm
漏源击穿电压
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVR4501NT1G拓展信息
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