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首页 全部分类 NVTFS5116PLWFTWG vs ZXMN6A25GTA

NVTFS5116PLWFTWG备选型号: ZXMN6A25GTA

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NVTFS5116PLWFTWG
    ON Semiconductor
    MOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    YES
    8
    6A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    8
    1
    Single
    14 ns
    P-Channel
    52m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    无卤素
    1258pF @ 25V
    25nC @ 10V
    68ns
    60V
    ±20V
    36 ns
    6A
    20V
    -60V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN6A25GTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
    -
    17 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    -
    4
    4.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    4
    1
    -
    3.8 ns
    N-Channel
    50m Ω @ 3.6A, 10V
    1V @ 250μA
    -
    1063pF @ 30V
    20.4nC @ 10V
    4ns
    -
    ±20V
    10.6 ns
    6.7A
    20V
    60V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    7.994566mg
    SILICON
    4
    50mOhm
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.9W
    DRAIN
    SWITCHING
    28.5A
    1.65mm
    6.7mm
    3.7mm
    无SVHC
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