注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.855167
10
¥12.127516
100
¥11.441052
500
¥10.793449
1000
¥10.182497
ON Semiconductor NVTFS5116PLWFTWG
- 收藏
- 对比
NVTFS5116PLWFTWG
1807-NVTFS5116PLWFTWG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
大陆
立即发货

MOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NVTFS5116PLWFTWG详情
ON Semiconductor NVTFS5116PLWFTWG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
表面安装
YES
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
3.2W Ta 21W Tc
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
引脚数量
8
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
52m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1258pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
68ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
36 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVTFS5116PLWFTWG拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。