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首页 全部分类 NVTFS5826NLTWG vs NVMFS5826NLWFT1G

NVTFS5826NLTWG备选型号: NVMFS5826NLWFT1G

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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 端子表面处理
  • 通道数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • ON Semiconductor
    NVTFS5826NLTWG
    ON Semiconductor
    MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
    23 Weeks
    Tin
    YES
    8
    1
    2011
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    175°C
    -55°C
    3.2W
    DUAL
    FLAT
    8
    S-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    22W
    DRAIN
    9 ns
    无卤素
    29ns
    N-CHANNEL
    21 ns
    20A
    20V
    7.6A
    60V
    850pF
    20 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    24mOhm
    24 mΩ
    750μm
    3.15mm
    3.15mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVMFS5826NLWFT1G
    ON Semiconductor
    Power MOSFET 60V, 26A, 24 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    38 Weeks
    -
    YES
    5
    8A Ta
    2013
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    5
    -
    Single
    -
    -
    -
    9 ns
    无卤素
    32ns
    -
    24 ns
    26A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -55°C~175°C TJ
    Tin (Sn)
    1
    N-Channel
    24m Ω @ 10A, 10V
    2.5V @ 250μA
    850pF @ 25V
    17nC @ 10V
    60V
    ±20V
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