ON Semiconductor NVMFS5826NLWFT1G
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NVMFS5826NLWFT1G
1807-NVMFS5826NLWFT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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Power MOSFET 60V, 26A, 24 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
--最小包装量--
NVMFS5826NLWFT1G详情
ON Semiconductor NVMFS5826NLWFT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
38 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
表面安装
YES
引脚数
5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
3.6W Ta 39W Tc
Turn Off Delay Time
15 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
引脚数量
5
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
850pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
上升时间
32ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
24 ns
连续放电电流(ID)
26A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVMFS5826NLWFT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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