ON Semiconductor NVTFS5826NLTWG

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

23 Weeks

触点镀层

Tin

表面安装

YES

引脚数

8

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

14 ns

已出版

2011

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3.2W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

22W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

无卤素

无卤素

上升时间

29ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.6A

漏源击穿电压

60V

输入电容

850pF

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

24mOhm

最大rds

24 mΩ

高度

750μm

长度

3.15mm

宽度

3.15mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅