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NX7002BKR备选型号: NX138BKR
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET 60V N-channel Trench MOSFET4 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON2.1V @ 250μA270mA Ta2014-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)32.2Ohm逻辑电平兼容DUAL鸥翼未说明未说明IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING2.8 Ω @ 200mA, 10V23.6pF @ 10V1nC @ 10V60V±20V270mATO-236AB0.27A60VROHS3 Compliant无铅--- MOSFET N-CH 60V TO-236AB4 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-3SILICON1.5V @ 250μA265mA Ta2016-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)3--DUAL鸥翼未说明未说明IEC-60134R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING3.5 Ω @ 200mA, 10V20.2pF @ 30V0.49nC @ 4.5V60V±20V265mATO-236AB0.265A60VROHS3 Compliant-表面贴装3.8Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN65D8LQ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V SOT23 | 对比 |
| NX138BKR | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | 对比 |
| DMN65D8LQ-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 60V SOT23 | 对比 |
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