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首页 全部分类 PBLS2002D,115 vs MBT35200MT2G

PBLS2002D,115备选型号: MBT35200MT2G

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  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
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  • 最大集极截止电流
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 功率 - 最大
  • 增益带宽积
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • Nexperia USA Inc.
    PBLS2002D,115
    Nexperia USA Inc.
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    6
    20V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    600mW
    鸥翼
    260
    30
    PBLS2002
    6
    NPN, PNP
    Dual
    SWITCHING
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    150mV
    1A
    30 @ 10mA 5V / 220 @ 500mA 2V
    1μA 100nA
    150mV @ 500μA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A
    50V 20V
    185MHz
    20V
    185MHz
    4.7k Ω
    4.7k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MBT35200MT2G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    35V
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    1W
    -
    -
    -
    MBT35200
    -
    -
    Single
    -
    PNP
    35V
    2A
    100 @ 1.5A 1.5V
    100nA
    310mV @ 20mA, 2A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    625mW
    100MHz
    55V
    5V
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