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首页 全部分类 PBLS6001D,115 vs PMD9010D,115

PBLS6001D,115备选型号: PMD9010D,115

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  • 包装/外壳
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 应用
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 集电极电流-最大值(IC)
  • 最小直流增益（hFE）
  • 集电极-发射器电压-最大值
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • Nexperia USA Inc.
    PBLS6001D,115
    Nexperia USA Inc.
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
    4 Weeks
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    YES
    SILICON
    100mA 700mA
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    PBLS6001
    6
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    600mW
    SWITCHING
    NPN和PNP
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    30 @ 20mA 5V / 150 @ 500mA 5V
    1μA 100nA
    150mV @ 500μA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
    50V 60V
    185MHz
    185MHz
    2.2k Ω
    2.2k Ω
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMD9010D,115
    NXP USA Inc.
    IC MOSFET DRIVER 6TSOP
    -
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    YES
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    TIN
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    PMD9010
    6
    R-PDSO-G6
    CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    -
    AMPLIFIER
    NPN
    2 NPN (Totem Pole)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    MOSFET驱动器
    100mA NPN 100mA NPN
    不合格
    0.1A
    200
    45V
    1058ns
    90ns
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