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首页 全部分类 PBSS5160DS,115 vs MBT35200MT2G

PBSS5160DS,115备选型号: MBT35200MT2G

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  • 转换频率
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 环境温度范围高
  • 高度
  • RoHS状态
  • 底架
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    PBSS5160DS,115
    Nexperia USA Inc.
    TRANS 2PNP 60V 0.77A 6TSOP
    4 Weeks
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    YES
    6
    SILICON
    -250mV
    770mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    260
    30
    PBSS5160DS
    6
    PNP
    290mW
    420mW
    SWITCHING
    185MHz
    2 PNP (Dual)
    -60V
    -1A
    150 @ 500mA 5V
    100nA
    330mV @ 100mA, 1A
    60V
    220MHz
    -80V
    -5V
    150°C
    150°C
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MBT35200MT2G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    SOT-23-6
    -
    6
    -
    -
    35V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    MBT35200
    -
    -
    -
    625mW
    -
    -
    PNP
    35V
    2A
    100 @ 1.5A 1.5V
    100nA
    310mV @ 20mA, 2A
    -
    -
    55V
    5V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    表面贴装
    100MHz
    150°C
    -55°C
    Single
    无
  • 添加型号
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