PBSS5160DS,115备选型号: PMD9050D,115
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 极性
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最大结点温度(Tj)
- 环境温度范围高
- 高度
- RoHS状态
- 应用
- 额定电流
- 端子位置
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 极性/通道类型
- 集电极电流-最大值(IC)
- 最小直流增益(hFE)
- 集电极-发射器电压-最大值
- 关断时间-最大值(toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- TRANS 2PNP 60V 0.77A 6TSOP4 Weeks表面贴装SC-74, SOT-457YES6SILICON-250mV770mA150°C TJTape & Reel (TR)2005e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)鸥翼26030PBSS5160DS6PNP290mW420mWSWITCHING185MHz2 PNP (Dual)-60V-1A150 @ 500mA 5V100nA330mV @ 100mA, 1A60V220MHz-80V-5V150°C150°C1.1mmROHS3 Compliant------------
- IC MOSFET DRIVER 6TSOP-表面贴装SC-74, SOT-457YES-SILICON-3-Tape & Reel (TR)2006e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99TIN鸥翼26040PMD90506---AMPLIFIER-2 NPN, PNP------------ROHS3 CompliantMOSFET驱动器100mADUALR-PDSO-G6不合格COMPLEXNPN和PNP0.1A2445V1058ns90ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT6589T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-23-6 | TRANS PNP 30V 1A TSOP-6 | 对比 | |
| PMD9010D,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 特殊用途 | SC-74, SOT-457 | IC MOSFET DRIVER 6TSOP | 对比 | |
| MBT35200MT2G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-23-6 | Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R | 对比 |



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