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首页 全部分类 PBSS5520X,135 vs 2DB1386R-13

PBSS5520X,135备选型号: 2DB1386R-13

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  • 晶体管类型
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
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  • 系列
  • 无铅代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    PBSS5520X,135
    Nexperia USA Inc.
    PBSS5520X Series 20 V 5 A SMT PNP Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-89
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    4
    SILICON
    20V
    100MHz
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    FLAT
    100MHz
    PBSS5520
    R-PSSO-F3
    Single
    2.5W
    COLLECTOR
    1.6W
    SWITCHING
    PNP
    PNP
    20V
    5A
    250 @ 2A 2V
    100nA
    270mV @ 500mA, 5A
    100MHz
    20V
    20V
    -5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    2DB1386R-13
    Diodes Incorporated
    TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    4
    SILICON
    20V
    100MHz
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    FLAT
    100MHz
    -
    -
    Single
    1W
    COLLECTOR
    -
    SWITCHING
    PNP
    PNP
    20V
    5A
    180 @ 500mA 2V
    500nA ICBO
    1V @ 100mA, 4A
    100MHz
    20V
    30V
    -6V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    130.492855mg
    -250mV
    Automotive, AEC-Q101
    yes
    DUAL
    260
    40
    1.5mm
    4.5mm
    2.48mm
    无SVHC
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