ON Semiconductor 2SB1121T-TD-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-350mV

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

500mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

增益带宽积

150MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 75mA, 1.5A

最高频率

150MHz

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

-30V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅