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首页 全部分类 PBSS8110Z,135 vs DTDG14GPT100

PBSS8110Z,135备选型号: DTDG14GPT100

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  • 电压 - 额定直流
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  • 额定电流
  • 引脚数量
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  • 工作电源电压
  • 极性
  • 频率转换
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  • 电阻-发射极基极(R2)
  • VCEsat-最大值
  • Nexperia USA Inc.
    PBSS8110Z,135
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PBSS8110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 650 mW, 1 A, 150 hFE
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    100V
    200mV
    100MHz
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    100MHz
    30
    PBSS8110
    100V
    Single
    1A
    1.4W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    100V
    1A
    150 @ 250mA 10V
    100nA
    200mV @ 100mA, 1A
    100MHz
    100V
    120V
    5V
    1.7mm
    6.7mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    DTDG14GPT100
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    3
    -
    60V
    -
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e2
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡铜
    -
    FLAT
    260
    -
    10
    DTDG14
    -
    Single
    -
    500mW
    COLLECTOR
    SWITCHING
    -
    NPN - Pre-Biased
    400mV
    1A
    300 @ 500mA 2V
    500nA ICBO
    400mV @ 5mA, 500mA
    80MHz
    60V
    -
    5V
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    SMD/SMT
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR
    8541.21.00.95
    60V
    2W
    1A
    3
    1A
    60V
    NPN
    80MHz
    1A
    10 k Ω
    0.4 V
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