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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.115175
10
¥1.052053
100
¥0.992502
500
¥0.936323
1000
¥0.883323
Nexperia USA Inc. PBSS8110Z,135
- 收藏
- 对比
PBSS8110Z,135
1729-PBSS8110Z,135
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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NEXPERIA - PBSS8110Z,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 650 mW, 1 A, 150 hFE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS8110Z,135详情
Nexperia USA Inc. PBSS8110Z,135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
100MHz
Power Dissipation (Max)
1.4W
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
PBSS8110
电压
100V
元素配置
Single
电流
1A
功率耗散
1.4W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 250mA 10V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
200mV @ 100mA, 1A
转换频率
100MHz
最大击穿电压
100V
集电极基极电压(VCBO)
120V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.7mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PBSS8110Z,135拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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