ROHM Semiconductor 2SD2656T106

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

140mV

Number of Elements

1

hFEMin

270

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SD2656

引脚数量

3

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

400MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

270 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 25mA, 500mA

最高频率

100MHz

转换频率

400MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

1A

高度

900μm

长度

2.1mm

宽度

1.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅