PCP1302-TD-H备选型号: NDT014
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- 已出版
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 60V 3A SOT89ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-243AASILICON3A Ta150°C TJTape & Reel (TR)e6yes活跃1 (Unlimited)3Tin/Bismuth (Sn/Bi)SINGLEFLATnot_compliantR-PSSO-F3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-Channel266m Ω @ 1.5A, 10V2.6V @ 1mA262pF @ 20V6.4nC @ 10V60V±20V3A3A0.266Ohm60VROHS3 Compliant无铅------------------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AASILICON2.7A Ta-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)e3yes活跃1 (Unlimited)4Tin (Sn)DUAL鸥翼-R-PDSO-G4-增强型MOSFETDRAINN-Channel200m Ω @ 1.6A, 10V4V @ 250μA155pF @ 25V11nC @ 10V-±20V2.7A---ROHS3 Compliant无铅3188mg1998SMD/SMTEAR99200mOhm60V2.7ASingle3W10 nsSWITCHING64ns10 ns3V20V60V60V3 V1.7mm6.7mm3.7mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZXMN6A11ZTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-243AA | Trans MOSFET N-CH 60V 3.6A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R | 对比 |
![]() | NDT014 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | ZXMN6A07ZTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-243AA | MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89 | 对比 |




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