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首页 全部分类 PCP1302-TD-H vs NDT014

PCP1302-TD-H备选型号: NDT014

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  • 操作模式
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  • 终端
  • ECCN 代码
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  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    PCP1302-TD-H
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 3A SOT89
    8 Weeks
    TO-243AA
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    3.5W Tc
    2.6V @ 1mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    SINGLE
    FLAT
    R-PSSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    266m Ω @ 1.5A, 10V
    262pF @ 20V
    6.4nC @ 10V
    60V
    ±20V
    3A
    3A
    0.266Ohm
    60V
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NDT014
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    8 Weeks
    TO-261-4, TO-261AA
    表面贴装
    表面贴装
    SILICON
    2.7A Ta
    4V @ 250μA
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1 (Unlimited)
    4
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    R-PDSO-G4
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    200m Ω @ 1.6A, 10V
    155pF @ 25V
    11nC @ 10V
    -
    ±20V
    2.7A
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    188mg
    1998
    SMD/SMT
    EAR99
    200mOhm
    60V
    2.7A
    Single
    3W
    10 ns
    SWITCHING
    64ns
    10 ns
    3V
    20V
    60V
    60V
    3 V
    1.7mm
    6.7mm
    3.7mm
    无
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