ON Semiconductor PCP1302-TD-H
- 收藏
- 对比
PCP1302-TD-H
1807-PCP1302-TD-H
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-243AA
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 60V 3A SOT89
--最小包装量--
PCP1302-TD-H详情
ON Semiconductor PCP1302-TD-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.5W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSSO-F3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
266m Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
262pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.4nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
3A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏极-源极导通最大电阻
0.266Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PCP1302-TD-H拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor










哦! 它是空的。