ON Semiconductor PCP1302-TD-H

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

TO-243AA

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

3.5W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PSSO-F3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

266m Ω @ 1.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

262pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.4nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

3A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.266Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅