PD55015-E备选型号: FDS8949
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大输出功率
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 最小击穿电压
- 功率增益
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 安装类型
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 操作温度
- 无铅代码
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 场效应管特性
- 栅源电压
- STMICROELECTRONICS PD55015-E RF FET Transistor, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RFACTIVE (Last Updated: 8 months ago)25 Weeks表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)21Tubee3活跃3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed165°C-65°CHIGH RELIABILITY73WDUAL鸥翼2505A500MHz30PD5501510Single增强型MOSFET73WSOURCE150mAAMPLIFIER40VN-CHANNELLDMOS5A20V15W5A40V89pFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR12.5V40V14dB3.5mm7.5mm9.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REELACTIVE (Last Updated: 6 days ago)12 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)823 nsTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)8EAR99----2W-鸥翼-6A----Dual增强型MOSFET2W------6A20V-6A40V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR---1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅表面贴装Tin187mgSILICON2006PowerTrench®-55°C~150°C TJyesSMD/SMT29mOhm40V9 ns2 N-Channel (Dual)29m Ω @ 6A, 10V3V @ 250μA955pF @ 20V11nC @ 5V5ns3 ns1.9V40V逻辑电平门1.9 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7241TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC | 对比 |
| FDS8949 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REEL | 对比 |




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