PD55015-E备选型号: FDS8949

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  • 包装
  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大输出功率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • 最小击穿电压
  • 功率增益
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 系列
  • 操作温度
  • 无铅代码
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS PD55015-E RF FET Transistor, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    2
    1
    Tube
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    73W
    DUAL
    鸥翼
    250
    5A
    500MHz
    30
    PD55015
    10
    Single
    增强型MOSFET
    73W
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    40V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    20V
    15W
    5A
    40V
    89pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    12.5V
    40V
    14dB
    3.5mm
    7.5mm
    9.4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS8949 - DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC, FULL REEL
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    23 ns
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    2W
    -
    鸥翼
    -
    6A
    -
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    6A
    20V
    -
    6A
    40V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    Tin
    187mg
    SILICON
    2006
    PowerTrench®
    -55°C~150°C TJ
    yes
    SMD/SMT
    29mOhm
    40V
    9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    29m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    955pF @ 20V
    11nC @ 5V
    5ns
    3 ns
    1.9V
    40V
    逻辑电平门
    1.9 V
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