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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.04383
10
¥4.758331
100
¥4.488992
500
¥4.234897
1000
¥3.995186
Infineon Technologies IRF7241TRPBF
- 收藏
- 对比
IRF7241TRPBF
1211-IRF7241TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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立即发货

MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF7241TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7241TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
210 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
41MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
-40V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-6.2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
元素配置
Single
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
24 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
41m Ω @ 6.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3220pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
上升时间
280ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
100 ns
连续放电电流(ID)
-6.2A
阈值电压
-3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-40V
双电源电压
-40V
恢复时间
48 ns
栅源电压
-3 V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
IRF7241TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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