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首页 全部分类 PD57002-E vs 2N7002DWH6327XTSA1

PD57002-E备选型号: 2N7002DWH6327XTSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大输出功率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • 最小击穿电压
  • 功率增益
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 资历状况
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    PD57002-E
    STMicroelectronics
    FET RF 65V 960MHZ PWRSO10
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tube
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    65V
    4.75W
    DUAL
    鸥翼
    250
    250mA
    960MHz
    30
    PD57002
    10
    R-PDSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    4.75W
    SOURCE
    10mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    250mA
    20V
    2W
    0.25A
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    65V
    15dB
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    2N7002DWH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    300mA
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    -
    500mW
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    -
    未说明
    -
    6
    -
    -
    增强型MOSFET
    500mW
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    115mA
    20V
    -
    0.3A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    OptiMOS™
    2010
    yes
    不合格
    3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    3 Ω @ 500mA, 10V
    2.5V @ 250μA
    无卤素
    20pF @ 25V
    0.6nC @ 10V
    3.3ns
    3.1 ns
    60V
    3Ohm
    逻辑电平门
    3 pF
    无SVHC
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2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R 对比