Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1
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2N7002DWH6327XTSA1
1211-2N7002DWH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
--最小包装量--
2N7002DWH6327XTSA1详情
Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300mA
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
5.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
最大功率耗散
500mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
资历状况
不合格
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500mW
接通延迟时间
3 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
20pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.6nC @ 10V
上升时间
3.3ns
下降时间(典型值)
3.1 ns
连续放电电流(ID)
115mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.3A
漏极-源极导通最大电阻
3Ohm
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
3 pF
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N7002DWH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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