PD57002-E备选型号: DMN5L06K-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大输出功率
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 最小击穿电压
- 功率增益
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- 无铅代码
- 电阻
- 通道数量
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- 最大结点温度(Tj)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- FET RF 65V 960MHZ PWRSO10表面贴装PowerSO-10 Exposed Bottom Pad31Tubee3Obsolete3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn) - annealed165°C-65°CHIGH RELIABILITY65V4.75WDUAL鸥翼250250mA960MHz30PD5700210R-PDSO-G2Single增强型MOSFET4.75WSOURCE10mAAMPLIFIER65VN-CHANNELLDMOS250mA20V2W0.25A65VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR28V65V15dB无ROHS3 Compliant无铅---------------------
- MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33300mA TaTape & Reel (TR)e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)--ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD50V-DUAL鸥翼260300mA-40-3-Single增强型MOSFET350mW--SWITCHING---300mA20V--50V----无ROHS3 Compliant无铅18 Weeks表面贴装7.994566mgSILICON-65°C~150°C TJ2008yes2Ohm1N-Channel2 Ω @ 50mA, 5V1V @ 250μA50pF @ 25V±20V1V150°C5 pF1.1mm2.9mm1.3mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | 对比 |





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