PD57018-E备选型号: PD57018STR-E
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大输出功率
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 电压-测试
- 最小击穿电压
- 功率增益
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 资历状况
- 增益
- FET RF 65V 945MHZ PWRSO10ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)25 WeeksTin表面贴装PowerSO-10 Exposed Bottom Pad31Tubee3活跃3 (168 Hours)2EAR99165°C-65°CHIGH RELIABILITY65V31.7WDUAL鸥翼2502.5A945MHz30PD5701810R-PDSO-G2Single增强型MOSFET31.7WSOURCE100mAAMPLIFIER65VN-CHANNELLDMOS2.5A20V18W65VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR760mOhm28V65V16.5dB3.5mm7.5mm9.4mm无ROHS3 Compliant无铅----
- TRANSISTOR RF POWERSO-10-25 Weeks-表面贴装PowerSO-10 Exposed Bottom Pad31Tape & Reel (TR)e3活跃3 (168 Hours)2EAR99165°C-65°CHIGH RELIABILITY-31.7WDUALFLAT2502.5A945MHz30PD5701810R-PDSO-F2Single增强型MOSFET31.7WSOURCE100mAAMPLIFIER65VN-CHANNELLDMOS2.5A20V18W65VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR760mOhm28V------ROHS3 Compliant-哑光锡not_compliant不合格16.5dB
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PD57018TR-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | 对比 |
![]() | IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 对比 |





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