您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 PD57018S-E vs SPD03N50C3ATMA1

PD57018S-E备选型号: SPD03N50C3ATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 增益
  • 最大输出功率
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 电压-测试
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 安装类型
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 最大rds
  • STMicroelectronics
    PD57018S-E
    STMicroelectronics
    Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tube
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    哑光锡
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    65V
    31.7W
    DUAL
    FLAT
    250
    2.5A
    945MHz
    30
    PD57018
    10
    R-PDSO-F2
    Single
    增强型MOSFET
    31.7W
    SOURCE
    100mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    2.5A
    20V
    16.5dB
    18W
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    760mOhm
    28V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPD03N50C3ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.2A Tc
    Tape & Reel (TR)
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    560V
    -
    -
    -
    -
    3.2A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    38W
    -
    -
    -
    -
    -
    3.2A
    20V
    -
    -
    -
    -
    1.25Ohm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    PG-TO252-3-1
    -55°C~150°C TJ
    CoolMOS™
    2005
    10 ns
    N-Channel
    1.4Ohm @ 2A, 10V
    3.9V @ 135μA
    350pF @ 25V
    15nC @ 10V
    5ns
    500V
    ±20V
    15 ns
    500V
    350pF
    1.4 Ω
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDS89161LZ FDS89161LZ ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET PT5 100V Logic Level with Zener 对比
SPB03N60C3ATMA1 SPB03N60C3ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-263 对比
SPD03N60S5BTMA1 SPD03N60S5BTMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比