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1

￥185.527763
10

￥175.026191
100

￥165.119049
500

￥155.77269
1000

￥146.955363

STMicroelectronics PD57018S-E

Name: PD57018S-E
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-PD57018S-E
Price: 185.53 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

PD57018S-E

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-PD57018S-E

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube

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PD57018S-E STMicroelectronics Trans RF MOSFET N-CH 65V 2.5A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube

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PD57018S-E详情

技术参数

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型号对比

STMicroelectronics PD57018S-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

25 Weeks
底架

表面贴装
包装/外壳

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
引脚数

3
Number of Elements

1
包装

Tube
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

2
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

哑光锡
最高工作温度

165°C
最小工作温度

-65°C
附加功能

HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流

65V
最大功率耗散

31.7W
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

250
额定电流

2.5A
频率

945MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
基本部件号

PD57018
引脚数量

10
JESD-30代码

R-PDSO-F2
元素配置

Single
操作模式

增强型MOSFET
功率耗散

31.7W
箱体转运

SOURCE
测试电流

100mA
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
晶体管类型

LDMOS
连续放电电流(ID)

2.5A
栅极至源极电压(Vgs)

20V
增益

16.5dB
最大输出功率

18W
漏源击穿电压

65V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻

760mOhm
电压-测试

28V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

0个相似型号

PD57018S-E拓展信息

热销零件