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首页 全部分类 PD57018STR-E vs IRF7103TRPBF

PD57018STR-E备选型号: IRF7103TRPBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    PD57018STR-E
    STMicroelectronics
    TRANSISTOR RF POWERSO-10
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    哑光锡
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    31.7W
    DUAL
    FLAT
    250
    not_compliant
    2.5A
    945MHz
    30
    PD57018
    10
    R-PDSO-F2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    31.7W
    SOURCE
    100mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    2.5A
    20V
    16.5dB
    18W
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    760mOhm
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7103TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    逻辑电平兼容
    2W
    -
    鸥翼
    -
    -
    3A
    -
    -
    IRF7103PBF
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    3A
    20V
    -
    -
    50V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    表面贴装
    SILICON
    IRF7103TRPBF
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    1997
    SMD/SMT
    130mOhm
    50V
    6.3 mm
    5.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    130m Ω @ 3A, 10V
    3V @ 250μA
    290pF @ 25V
    30nC @ 10V
    8ns
    25 ns
    3V
    3A
    50V
    100 ns
    Standard
    3 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC 对比