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首页 全部分类 PD57030S-E vs IRFL024ZTRPBF

PD57030S-E备选型号: IRFL024ZTRPBF

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  • 晶体管类型
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  • 最大输出功率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
  • 电阻
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    PD57030S-E
    STMicroelectronics
    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    4
    1
    Tube
    e3
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    哑光锡
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    65V
    52.8W
    DUAL
    FLAT
    250
    4A
    945MHz
    30
    PD57030
    2
    R-PDSO-F2
    Single
    增强型MOSFET
    52.8W
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    4A
    20V
    14dB
    30W
    4A
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFL024ZTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    5.1A Ta
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    55V
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    1A
    -
    30
    -
    -
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    5.1A
    20V
    -
    -
    -
    55V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    2010
    57.5MOhm
    7.8 ns
    N-Channel
    57.5m Ω @ 3.1A, 10V
    4V @ 250μA
    340pF @ 25V
    14nC @ 10V
    21ns
    ±20V
    23 ns
    4V
    55V
    4 V
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无SVHC
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