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PD57030S-E备选型号: PD57045-E

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  • JESD-609代码
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  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • STMicroelectronics
    PD57030S-E
    STMicroelectronics
    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    4
    1
    Tube
    e3
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    哑光锡
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    65V
    52.8W
    DUAL
    FLAT
    250
    4A
    945MHz
    30
    PD57030
    2
    R-PDSO-F2
    Single
    增强型MOSFET
    52.8W
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    4A
    20V
    14dB
    30W
    4A
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    PD57045-E
    STMicroelectronics
    Trans RF MOSFET N-CH 65V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tube
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    165°C
    -65°C
    -
    -
    73W
    DUAL
    鸥翼
    -
    5A
    945MHz
    -
    PD57045
    10
    R-PDSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    73W
    SOURCE
    250mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    20V
    14.5dB
    45W
    5A
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    25 Weeks
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