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首页 全部分类 PD57030S-E vs IRF7341TRPBF

PD57030S-E备选型号: IRF7341TRPBF

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  • 引脚数
  • 包装
  • JESD-609代码
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  • 电压 - 额定直流
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 增益
  • 最大输出功率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
  • 电阻
  • 行间距
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    PD57030S-E
    STMicroelectronics
    FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    4
    1
    Tube
    e3
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    哑光锡
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    65V
    52.8W
    DUAL
    FLAT
    250
    4A
    945MHz
    30
    PD57030
    2
    R-PDSO-F2
    Single
    增强型MOSFET
    52.8W
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    65V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    4A
    20V
    14dB
    30W
    4A
    65V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7341TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    55V
    2W
    -
    鸥翼
    260
    4.7A
    -
    30
    IRF7341PBF
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    -
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    4.7A
    20V
    -
    -
    5.1A
    55V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    2004
    50mOhm
    6.3 mm
    2
    8.3 ns
    2 N-Channel (Dual)
    50m Ω @ 4.7A, 10V
    1V @ 250μA
    740pF @ 25V
    36nC @ 10V
    3.2ns
    13 ns
    1V
    55V
    140 mJ
    90 ns
    150°C
    逻辑电平门
    1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
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