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PD84006-E备选型号: PD54003L-E

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  • 晶体管应用
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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
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  • 最大输出功率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • RoHS状态
  • 电压 - 额定直流
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    PD84006-E
    STMicroelectronics
    FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF
    52 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    3
    1
    Tube
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    150°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    59W
    DUAL
    鸥翼
    250
    not_compliant
    5A
    870MHz
    未说明
    PD84006
    10
    R-PDSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    59W
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    25V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    15V
    15dB
    6W
    5A
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    PD54003L-E
    STMicroelectronics
    TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
    -
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    14
    1
    Tape & Reel (TR)
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    5
    EAR99
    哑光锡
    150°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    19.5W
    QUAD
    -
    260
    -
    4A
    500MHz
    30
    PD54003
    5
    S-PQCC-N5
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    SOURCE
    50mA
    AMPLIFIER
    25V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    4A
    15V
    20dB
    3W
    4A
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.5V
    ROHS3 Compliant
    7V
    无
    无铅
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