STMicroelectronics PD54008L-E
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PD54008L-E
2381-PD54008L-E
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
8-PowerVDFN
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TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
--最小包装量--
PD54008L-E详情
STMicroelectronics PD54008L-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
3.1V
最大功率耗散
26.7W
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
5A
频率
500MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
PD54008
引脚数量
14
JESD-30代码
S-PQCC-N5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
26.7W
箱体转运
SOURCE
测试电流
200mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
25V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
5A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
最大输出功率
8W
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5A
漏源击穿电压
25V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
7.5V
功率增益
15dB
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PD54008L-E拓展信息
STMicroelectronics
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