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首页 全部分类 PD84010-E vs IRF7470TRPBF

PD84010-E备选型号: IRF7470TRPBF

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  • 晶体管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
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  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    PD84010-E
    STMicroelectronics
    FET RF 40V 870MHZ
    OBSOLETE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    3
    1
    Tube
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    165°C
    -65°C
    95W
    DUAL
    鸥翼
    250
    8A
    870MHz
    30
    PD84010
    10
    R-PDSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    95W
    SOURCE
    300mA
    AMPLIFIER
    40V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    8A
    15V
    16.3dB
    10W
    8A
    40V
    2W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    7.5V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7470TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
    -
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    10A Ta
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    -
    30
    -
    -
    R-PDSO-G8
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    SWITCHING
    40V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    表面贴装
    YES
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    2003
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    13m Ω @ 10A, 10V
    2V @ 250μA
    3430pF @ 20V
    44nC @ 4.5V
    ±12V
    MS-012AA
    0.013Ohm
    85A
    40V
    300 mJ
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