PD84010-E备选型号: PD20015-E
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 测试电流
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 最大输出功率
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 电压-测试
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 附加功能
- FET RF 40V 870MHZOBSOLETE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)31Tubee3Obsolete3 (168 Hours)2EAR99Matte Tin (Sn)165°C-65°C95WDUAL鸥翼2508A870MHz30PD8401010R-PDSO-G2Single增强型MOSFET95WSOURCE300mAAMPLIFIER40VN-CHANNELLDMOS8A15V16.3dB10W8A40V2WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR7.5V无ROHS3 Compliant--
- TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RFACTIVE (Last Updated: 8 months ago)表面贴装PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)31Tube-活跃3 (168 Hours)2EAR99-165°C-65°C79WDUAL鸥翼-7A2GHz-PD2001510R-PDFM-G2Single增强型MOSFET79WSOURCE350mAAMPLIFIER40VN-CHANNELLDMOS7A15V11dB23W7A40V15WMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR13.6V无ROHS3 Compliant25 WeeksHIGH RELIABILITY
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7470TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC | 对比 |
![]() | PD20015-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | 对比 |




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