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PD85015TR-E备选型号: PD85015STR-E

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  • 漏源击穿电压
  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • RoHS状态
  • STMicroelectronics
    PD85015TR-E
    STMicroelectronics
    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    25 Weeks
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    59W
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    5A
    870MHz
    未说明
    PD85015
    10
    R-PDSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    59W
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    40V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    15V
    16dB
    20W
    5A
    40V
    15W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    13.6V
    ROHS3 Compliant
  • STMicroelectronics
    PD85015STR-E
    STMicroelectronics
    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    -
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
    3
    1
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    59W
    DUAL
    FLAT
    未说明
    5A
    870MHz
    未说明
    PD85015
    10
    R-PDFP-F2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    59W
    SOURCE
    150mA
    AMPLIFIER
    40V
    N-CHANNEL
    LDMOS
    5A
    15V
    16dB
    20W
    5A
    40V
    15W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    13.6V
    ROHS3 Compliant
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