STMicroelectronics PD20010TR-E
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PD20010TR-E
2381-PD20010TR-E
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
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TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
1最小包装量--
PD20010TR-E详情
STMicroelectronics PD20010TR-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
25 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
引脚数
3
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
59W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
5A
频率
2GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
PD20010
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PDSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
59W
箱体转运
SOURCE
测试电流
150mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
40V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
5A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
增益
11dB
最大输出功率
15W
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5A
漏源击穿电压
40V
功率 - 输出
10W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
13.6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PD20010TR-E拓展信息
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