您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 PDTA114ET,235 vs 2SA1162-GR,LF

PDTA114ET,235备选型号: 2SA1162-GR,LF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
  • 操作温度
  • ECCN 代码
  • Reach合规守则
  • 功率 - 最大
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • Nexperia USA Inc.
    PDTA114ET,235
    Nexperia USA Inc.
    TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    250mW
    DUAL
    鸥翼
    PDTA114
    3
    PNP
    Single
    SWITCHING
    PNP - Pre-Biased
    50V
    100mA
    30 @ 5mA 5V
    1μA
    150mV @ 500μA, 10mA
    100MHz
    10 k Ω
    10 k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SA1162-GR,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2SA1162
    -
    -
    Single
    -
    PNP
    50V
    150mA
    200 @ 2mA 6V
    100nA ICBO
    300mV @ 10mA, 100mA
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    7.994566mg
    100mV
    80MHz
    125°C TJ
    EAR99
    unknown
    150mW
    50V
    50V
    5V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
MUN2130T1 MUN2130T1 ON Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 对比
MUN2111T1 MUN2111T1 ON Semiconductor 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 TO-236-3 TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 对比
2SA1162-GR,LF 2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 对比