PDTA124EQAZ备选型号: RN2101,LF(CT
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 供应商器件包装
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 最大击穿电压
- TRANS PREBIAS PNP 3DFN4 Weeks表面贴装表面贴装3-XDFN Exposed PadDFN1010D-350VTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012014活跃1 (Unlimited)280mW280mWPNP - Pre-Biased150mV100mA60 @ 5mA 5V1μA150mV @ 500μA, 10mA50V180MHz22 kOhms22 kOhmsROHS3 Compliant-
- TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM12 Weeks表面贴装表面贴装SC-75, SOT-416-50VTape & Reel (TR)-2014活跃1 (Unlimited)100mW100mWPNP - Pre-Biased300mV100mA30 @ 10mA 5V500nA300mV @ 250μA, 5mA-200MHz4.7 k Ω4.7 k Ω符合RoHS标准50V
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FJV4114RMTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/4.7K 47K | 对比 |
| RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-75, SOT-416 | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | 对比 | |
| FJX4006RTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial | 对比 |




哦! 它是空的。