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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.041062
10
¥0.982134
100
¥0.926542
500
¥0.874096
1000
¥0.824618
Toshiba Semiconductor and Storage RN2101,LF(CT
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- 对比
RN2101,LF(CT
2541-RN2101,LF(CT
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-75, SOT-416
大陆
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TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RN2101,LF(CT详情
Toshiba Semiconductor and Storage RN2101,LF(CT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
100mW
功率 - 最大
100mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
最大击穿电压
50V
频率转换
200MHz
电阻基(R1)
4.7 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
4.7 k Ω
RoHS状态
符合RoHS标准
RN2101,LF(CT拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba
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