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PDTA144EQAZ备选型号: RN2101,LF(CT
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- 晶体管元件材料
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- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
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- 功率 - 最大
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- 极性/通道类型
- 晶体管类型
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- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
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- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 最大击穿电压
TRANS PREBIAS PNP 3DFN4 Weeks表面贴装表面贴装3-XDFN Exposed PadSILICON50VTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012014活跃1 (Unlimited)3BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1280mWDUAL无铅未说明未说明3AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-N3SINGLE WITH BUILT-IN RESISTORCOLLECTOR280mWSWITCHINGPNPPNP - Pre-Biased150mV100mA80 @ 5mA 5V1μA150mV @ 500μA, 10mA180MHz180MHz47 k Ω47 k ΩROHS3 Compliant-
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM12 Weeks表面贴装表面贴装SC-75, SOT-416-50VTape & Reel (TR)-2014活跃1 (Unlimited)--100mW---------100mW--PNP - Pre-Biased300mV100mA30 @ 10mA 5V500nA300mV @ 250μA, 5mA-200MHz4.7 k Ω4.7 k Ω符合RoHS标准50V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FJV4114RMTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/4.7K 47K | 对比 |
| RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | SC-75, SOT-416 | TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM | 对比 |
 | FJX4006RTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | SC-70, SOT-323 | Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial | 对比 |
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