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首页 全部分类 PEMD9,115 vs PBSS5140V,115

PEMD9,115备选型号: PBSS5140V,115

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 极性
  • 配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 操作温度
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • Nexperia USA Inc.
    PEMD9,115
    Nexperia USA Inc.
    PEMD9; PUMD9 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 47 kΩ
    4 Weeks
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    YES
    6
    SILICON
    100mA
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
    FLAT
    未说明
    未说明
    P*MD9
    6
    不合格
    NPN, PNP
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
    300mW
    SWITCHING
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    100 @ 5mA 5V
    1μA
    100mV @ 250μA, 5mA
    50V
    10k Ω
    47k Ω
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PBSS5140V,115
    NXP USA Inc.
    TRANS PNP 40V 1A SOT666
    -
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    YES
    -
    SILICON
    1A
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    FLAT
    未说明
    未说明
    PBSS5140
    6
    不合格
    -
    SINGLE
    -
    SWITCHING
    PNP
    300 @ 100mA 5V
    100nA ICBO
    310mV @ 100mA, 1A
    40V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    150°C TJ
    DUAL
    R-PDSO-F6
    500mW
    PNP
    150MHz
    150MHz
    0.3W
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
PBSS5140V,115 PBSS5140V,115 NXP USA Inc. 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 SOT-563, SOT-666 TRANS PNP 40V 1A SOT666 对比
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