NXP USA Inc. PBSS4140V,115
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PBSS4140V,115
1786-PBSS4140V,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-563, SOT-666
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TRANS NPN 40V 1A SOT666
--最小包装量--
PBSS4140V,115详情
NXP USA Inc. PBSS4140V,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
PBSS4140
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
500mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
440mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
转换频率
150MHz
频率转换
150MHz
最大耗散功率(Abs)
0.25W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PBSS4140V,115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
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NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
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