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首页 全部分类 PEMF21,115 vs PBSS5140V,115

PEMF21,115备选型号: PBSS5140V,115

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  • 元素配置
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  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
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  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最高频率
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • Nexperia USA Inc.
    PEMF21,115
    Nexperia USA Inc.
    TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    12V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    300mW
    FLAT
    PEMF21
    6
    NPN, PNP
    Dual
    200mW
    SWITCHING
    1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
    300mV
    500mA
    30 @ 5mA 5V / 200 @ 10mA 2V
    1μA
    300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
    50V 12V
    280MHz
    280MHz
    12V
    -6V
    10k Ω
    -500mA
    10k Ω
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PBSS5140V,115
    NXP USA Inc.
    TRANS PNP 40V 1A SOT666
    -
    -
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    1A
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    FLAT
    PBSS5140
    6
    -
    -
    -
    SWITCHING
    PNP
    -
    -
    300 @ 100mA 5V
    100nA ICBO
    310mV @ 100mA, 1A
    40V
    -
    150MHz
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    SILICON
    150°C TJ
    DUAL
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F6
    不合格
    SINGLE
    500mW
    PNP
    150MHz
    0.3W
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PBSS4140V,115 PBSS4140V,115 NXP USA Inc. 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 SOT-563, SOT-666 TRANS NPN 40V 1A SOT666 对比